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第208章 三项诺奖成果滨海大学惊四方第3更（第1页）
4月2日。
琅琊镇，滨海大学。
大型学术报告厅内。
一场重磅的新闻发布会，正在进行。
上百位媒体记者到场参加，场面极其隆重。
前排座位席上。
坐着许多物理和化学领域的业界大咖、两院院士。
现场主持人，开口道：“女士们，先生们，欢迎出席滨海大学重磅科研成果发布会≈ap;学术会议。
滨海大学是一所创建没多久的学校，但我校拥有多位学术大咖。
比如，滨海大学副校长、夏国科学院院士、黎曼猜想证明者——赵玉秀院士。
比如，滨海大学副校长、夏国科学院副院长、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李明陌院士。
比如，滨海大学物理学院新任院长、夏国科学院院士、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李子华院士。
而就在今天。
李明陌院士、李子华院士，以及滨海大学校长李子奕，将公布最新的科研成果，请大家掌声鼓励！”
话音落下。
现场掌声阵阵，经久不息。
李子华、李明陌、赵玉秀、李子奕，都是滨海李家人，在外界享誉盛名。
就凭几人的咖位。
他们肯定能发布让学术界为之轰动的科研成果！
……
接下来。
李明陌率先上台。
他环顾四周，开口道：“众所周知，硅是目前应用最广泛的半导体材料，达到芯片制造所需要的9999999999纯度。
不过，随着芯片小型化发展。
硅的短板与市场需求的矛盾也日益突出，例如传导热量性能不佳、空穴迁移率不够高等。
科学界，一直在探索半导体新材料，例如砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、氧化锌、氮化铝等。
近段时间，我验证出一种比硅导电导热性能更佳、有望替代硅的材料——立方砷化硼（c-bas）。
通过瞬态反射显微成像测定。
立方砷化硼的高双极性迁移率，达到15502v1s1。
立方砷化硼的室温下高热导率，达到1300w1k1。
这两个数据，说明立方砷化硼的合成，不需要高温高压，在大尺寸制造方面，可以满足工业需求。
从业界的角度来看。
芯片的散热问题严重阻碍了其运算速度。
立方砷化硼，能解决当前芯片散热的瓶颈问题。
事实的确如此。
我在实验室里，已经将立方砷化硼应用到稍大尺寸的二极管、三极管和场效应晶体中。
同时，我和滨海芯片有限公司达成合作，已经将立方砷化硼应用至芯片里。
数据现实，立方砷化硼性能非常出众，是目前为止性能最好的半导体材料。
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