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第182章 单晶到底怎么造3k（第1页）

第182章单晶到底怎么造（3k）

段工重新接过电话，对高振东笑道：“高主任，别的啥也不说了，又麻烦你一次，你放心，我保证，但凡有你们的石墨构件单子，我每次都亲自盯紧。”

这倒是个好事，能最大程度的保证单晶炉石墨构件的源头质量。

机要通话的资源还是很宝贵的，事情说完，再次互祝新年之后，挂断了通话。

对于一些石墨材料制作中的其他问题，碳研院没问，高振东也是没法主动说的，一来，也许他们的选择更优，二来，还有个保密规定在呢，就算是技术顾问也不能随便问对方主动给出的信息之外的话题。

看看日历，还有两天就要除夕了。

高振东从机要室出来，没有回办公室，而是去了单晶炉试验室。

高振东话还没说完，俞允成已经学会抢答了：“还有就是，可以配合其他控制系统一起，调节炉温、改善结晶条件和环境、调整结晶状态？”

“石墨坩埚旋转，一部分是为了均匀受热，毕竟再好的控制系统，也不能保证加热炉中各处的温度均匀，要注意一个问题，在拉晶过程中，晶体的成型，受热场的温度梯度影响非常大。”

能清晰的分辨出子系统功能和子系统作用，对于一部分人来说，这已经不容易了。

高振东前世的导师举过一个例子，某项目中，为了每几分钟在相隔500米的两地传输1k字节不到的数据，设计单位决定在两地之间拉一条单模光纤。

简单来说，功能，指的是这个子系统能干什么事情。

看见高振东过来，俞允成也走了过来，正好他有些积累的问题想问一下：“高主任，过来了？”

简单来说，直拉法是把硅在锅里烧化，然后往上拉晶。

“高主任，区熔法具体一点是个什么回事呢？”

“而坩埚的升降，也是类似。径向温度梯度的影响刚才你们都看见了，要高一点，这样才能及时散掉单晶硅生长的结晶潜热，保持界面温度稳定。但是又不能太高，太高了可能产生多晶或者大量结构缺陷。”

听见高振东肯定了自己的想法，俞允成心里很有几分窃喜。

然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法：“但是从这两个方法来看，适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的，是直拉法。”

高振东拿过纸笔，给俞允成画出了拉晶过程中的温度梯度曲线，详细解释了温度梯度的来源和影响。

区熔法则是把硅棒吊起来，把下端烧化，然后往下拉晶。

高振东笑着道：“嗯，俞工，现在情况怎么样？”

“对，在某个方向上，温度的变化情况。分径向温度梯度和纵向温度梯度，前者你可以看成是晶体圆截面上的温度梯度，后者，则是高度方向上的温度梯度。”

对方哑口无言，不过，也许傻的不是设计单位，而是高振东的导师吧。

俞允成对高振东这堂课心服口服，来这里果然来对了，不但学到了技术，还学会了科研的思想。

有这位科班出身的人在，高振东也很放心，他领先的是思路和原理，具体细节就不见得比俞允成更好了。

俞允成情绪也很不错：“还比较顺利，正在一项一项的装，一项一项的调。”

所以他对于开口向高振东学习，没有一点不好意思，不赶紧趁高主任有空，多扒拉点东西，那高主任不白来了。

俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”

“温度梯度？”

“高主任，从原理上分析，区熔法比直拉法的材料纯度要高，我们为什么不直接用区熔法搞。”

实际上哪怕到了几十年后，半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主，其中直拉法占了75%左右的产量。

所以听见俞允成问这个问题，高振东还是很高兴的，向他仔细的解释。

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